Сведения о контракте
| Номер контракта: | 1702100004315000166 |
| Сумма контракта: | 2 934 300.00 RUB |
| Регион: | Томская область |
| Способ размещения заказа: | Электронный аукцион |
| Дата проведения аукциона: | 2015-11-27 |
| Дата заключения контракта: | 2015-12-09 |
| Дата публикации: | 2015-12-11 |
| Срок исполнения контракта: | 2015-12-16 |
| Федеральный закон: | 44-ФЗ |
| Ссылка на zakupki.gov.ru: | |
| Ссылка на .json файл контракта: | Перейти |
| Количество поставщиков: | 1 Показать |
Заказчик
| Наименование заказчика: | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" |
| ИНН / КПП : | 7021000043 / 701701001 |
| Кол-во контрактов (94/44-ФЗ): | 4712 |
| Кол-во контрактов (223-ФЗ): | 3725 |
| Сумма контрактов (94/44-ФЗ): | 15 479 174 405 RUB |
| Сумма контрактов (223-ФЗ): | 4 092 957 472 RUB |
Не нашли, что искали? Нашли ошибку или персональные данные?
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Предметы контракта:
|
#
|
Наименование товара, работ, услуг
|
Код продукции
|
Единицы измерения
|
Цена за единицу
|
Количество
|
Сумма,
руб
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
1
|
пластины кремниевые Si; EPI-WAFER 4" AlGaN/GaN HEMT ON SI / NTTAT Japan Состав: гетероструктура AlGaN/GaN на кремниевой подложке, буфер GaN легированный углеродом.
Степень легирования буфера: 1018 1/см3
Диаметр пластины: 100 мм
Толщина буфера: 2,9 мкм
Толщина подложки: 600 мкм
|
24.66.43.112
|
ШТ
|
411 970.00
|
4.0
|
1 647 880.00
|
|
2
|
пластины кремниевые Si; EPI-WAFER 4" AlGaN/GaN HEMT ON SI / ENKRIS SEMICONDUCTOR China Состав: гетероструктура AlGaN/GaN на кремниевой подложке,
буфер GaN легированный углеродом.
Степень легирования буфера: 1018 1/см3
Диаметр пластины: 100 мм
Толщина буфера: 2,9 мкм
Толщина подложки: 600 мкм
|
24.66.43.112
|
ШТ
|
194 910.00
|
2.0
|
389 820.00
|
|
3
|
пластины кремниевые Si; EPI-WAFER 4" AlGaN/GaN HEMT ON SI/ ENKRIS SEMICONDUCTOR China Состав: гетероструктура AlGaN/GaN на кремниевой подложке,
буфер GaN легированный углеродом.
Степень легирования буфера: 1018 1/см3
Диаметр пластины: 100 мм
Толщина буфера: 2,9 мкм
Толщина подложки: 600 мкм
|
24.66.43.112
|
ШТ
|
224 150.00
|
4.0
|
896 600.00
|
Отрасль экономики:
|
1
|
Продукция обрабатывающих производств
|
Информация о поставщике:
|
#
|
Наименование
|
Адрес:
|
ИНН
|
КПП
|
|---|---|---|---|---|
|
1
|
5407216683
|
540601001
|
Комментарии: