Сведения о контракте
| Номер контракта: | 1702100004317000030 |
| Сумма контракта: | 16 698 829.67 RUB |
| Регион: | Томская область |
| Способ размещения заказа: | Электронный аукцион |
| Дата проведения аукциона: | 2017-11-24 |
| Дата заключения контракта: | 2017-12-06 |
| Дата публикации: | 2017-12-27 |
| Срок исполнения контракта: | 2018-01-31 |
| Федеральный закон: | 44-ФЗ |
| Ссылка на zakupki.gov.ru: | |
| Ссылка на .json файл контракта: | Перейти |
| Количество поставщиков: | 1 Показать |
Заказчик
| Наименование заказчика: | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" |
| ИНН / КПП : | 7021000043 / 701701001 |
| Кол-во контрактов (94/44-ФЗ): | 4712 |
| Кол-во контрактов (223-ФЗ): | 3725 |
| Сумма контрактов (94/44-ФЗ): | 15 479 174 405 RUB |
| Сумма контрактов (223-ФЗ): | 4 092 957 472 RUB |
Не нашли, что искали? Нашли ошибку или персональные данные?
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Предметы контракта:
|
#
|
Наименование товара, работ, услуг
|
Код продукции
|
Единицы измерения
|
Цена за единицу
|
Количество
|
Сумма,
руб
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
1
|
Пластины карбида кремния 4H-SiC с гетероэпитаксиальной структурой типа GaN/AlGaN/AlN/GaN; EPI-WAFER 4" GaN ON SiС
4" GAN ON SIC TYPE 1
Производитель:
TSEL Technology
|
20.59.53.110
|
шт
|
346 497.00
|
24.0
|
8 315 928.00
|
|
2
|
Пластины карбида кремния 4H-SiC с гетероэпитаксиальной структурой типа SiN/AlGaN/AlN/GaN; EPI-WAFER 4" GaN ON SiС
4" GAN ON SIC TYPE 2
Производитель:
TSEL Technology
|
20.59.53.110
|
шт
|
335 316.07
|
25.0
|
8 382 901.75
|
Информация о поставщике:
|
#
|
Наименование
|
Адрес:
|
ИНН
|
КПП
|
|---|---|---|---|---|
|
1
|
7810090372
|
781601001
|
Комментарии: