Сведения о контракте
| Номер контракта: | 1702100004323000043 |
| Сумма контракта: | 696 073.00 RUB |
| Регион: | Томская область |
| Способ размещения заказа: | ZKP20 |
| Дата проведения аукциона: | 2023-07-31 |
| Дата заключения контракта: | 2023-08-03 |
| Дата публикации: | 2023-09-08 |
| Срок исполнения контракта: | 2023-12-31 |
| Федеральный закон: | 44-ФЗ |
| Ссылка на zakupki.gov.ru: | |
| Ссылка на .json файл контракта: | Перейти |
| Количество поставщиков: | 1 Показать |
Заказчик
| Наименование заказчика: | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" |
| ИНН / КПП : | 7021000043 / 701701001 |
| Кол-во контрактов (94/44-ФЗ): | 4712 |
| Кол-во контрактов (223-ФЗ): | 3725 |
| Сумма контрактов (94/44-ФЗ): | 15 479 174 405 RUB |
| Сумма контрактов (223-ФЗ): | 4 092 957 472 RUB |
Не нашли, что искали? Нашли ошибку или персональные данные?
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Предметы контракта:
|
#
|
Наименование товара, работ, услуг
|
Код продукции
|
Единицы измерения
|
Цена за единицу
|
Количество
|
Сумма,
руб
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
1
|
Монолитная интегральная схема усилителя ms80040, miniSilicon, Китайская Народная Республика
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
1 280.14
|
100
|
128 014.00
|
|
2
|
InGaAs PIN фотодиод для мониторинга CPSX144S, Wooriro, Республика Корея
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
960.12
|
100
|
96 012.00
|
|
3
|
InGaAs PIN фотодиод, тип 1 CPL5012S-C, Wooriro, Республика Корея
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
720.09
|
100
|
72 009.00
|
|
4
|
InGaAs PIN фотодиод, тип 2 CPL2520S, Wooriro, Республика Корея
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
1 920.24
|
100
|
192 024.00
|
|
5
|
Монолитная интегральная схема лазерного диода EML, тип 1 OCTECF1310A, Source Photonics, Тайвань (Китай)
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
6 720.80
|
10
|
67 208.00
|
|
6
|
Монолитная интегральная схема лазерного диода EML, тип 2 OCTECE1295В, Source Photonics, Тайвань (Китай)
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
7 040.00
|
5
|
35 200.00
|
|
7
|
Монолитная интегральная схема лазерного диода EML, тип 3 OCTECE1300В, Source Photonics, Тайвань (Китай)
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
7 040.20
|
5
|
35 201.00
|
|
8
|
Монолитная интегральная схема лазерного диода EML, тип 4 OCTECE1304В, Source Photonics, Тайвань (Китай)
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
7 040.40
|
5
|
35 202.00
|
|
9
|
Монолитная интегральная схема лазерного диода EML, тип 5 OCTECE1309В, Source Photonics, Тайвань (Китай)
|
26.11.22.190
|
ШТ
|
7 040.60
|
5
|
35 203.00
|
Информация о поставщике:
|
#
|
Наименование
|
Адрес:
|
ИНН
|
КПП
|
|---|---|---|---|---|
|
1
|
7842202836
|
784201001
|
Комментарии: